毛凌锋

师资队伍

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毛凌锋
(男)
Mao Lingfeng
教授,博士生导师
电子邮箱:
lingfengmao@ustb.edu.cn
本科课程:
新一代电子器件与系统
研究生课程:
电子薄膜技术;半导体器件可靠性物理
科研方向:
电子科学技术
学术与社会兼职:
Editor for ISRN Electronics。受邀成为American Nano Society的free membership。是物理学报,Chinese Physics,Chinese Physics Letters,Chinese Journal of Electronics,电子学报和Journal of Zhejiang University- Science A等国内期刊的审稿人。是IEEE Electron Device Letters, IEEE Trans Electron Device, Materials Science and Engineering B, IEEE和TMS主办的杂志Journal Of Electronic Materials以及IETE Technical Review等国际期刊的审稿人。
 
简历
1998/09–2001/07,北京大学,计算机科学与技术系,博士,导师:谭长华
1994/09–1997/07,中国科学院固体物理研究所,凝聚态物理,硕士,导师:孔庆平
1990/09–1994/07,重庆大学,应用物理,学士

2014/01至今,北京科技大学,计算机与通信工程学院
2004/02-2013/12,苏州大学,电子信息学院/城市轨道交通学院和智能结构与系统研究所,教授
2003/01–2003/12,奥地利林茨大学,半导体研究所,博士后
2001/09–2002/07,法国国家科学研究中心北方电子微电子研究所,研究工程师
1997/07–1998/07,重庆大学,应用物理系,教师
代表性论文论著
曾在国内外著名学术刊物和学术会议上发表逾90篇论文。
[1]L.F. Mao,Dot size effects of nanocrystalline germanium on charging dynamics of memory devices,Nanoscale Research Letters vol,2013,08(SCI、EI收录);
[2]L.F. Mao,A theoretical analysis of field emission from graphene nanoribbons,Carbon vol,2011,49(SCI、EI收录);
[3]L.F. Mao, X. J. Li, C. Y. Zhu, Z. O. Wang, Z. H. Lu, J. F. Yang, H. W. Zhu, Y. S. Liu and J. Y. Wang,Finite size effects on the thermionic emission in metal-graphene nanoribbon contacts,IEEE Electron Device Letters,2010,31(SCI、EI收录);
[4]L.F. Mao,Energy distribution of channel electrons and its impacts on the gate leakage current in graphene field-effect transistors,Applied Physics A,2010,98,(SCI、EI收录)。
科研业绩
从事集成电路的相关研究多年。曾在北京大学作为主要成员参加过国家重大基础研究课题(973 G2000036503),军事预研项目、重点实验室基金,及博士点基金等项目;作为主要成员参加北京大学-Motorola联合项目。主持国家自然基面上项目2项,参与国家自然基面上项目1项。
2012/07-2015/05,主持江苏省自然基金项目“量子尺寸效应对纳米存储电路特性的影响”;2011/01-2013/12,主持国家自然科学基金面上项目“纳米集成电路的量子混沌及其对电路性能的影响”;2007/01-2009/12,主持国家自然科学基金面上项目“氢、氧、氮相关缺陷的精细电子结构对下一代GLSI电路性能的影响”;2011/01-2011/12,参与国家自然科学基金面上项目“Graphene场效应管散射机制的研究”。
获得奖励 / 专利
“东吴学者计划”高层次人才项目资助
苏州大学周氏教育科研奖
苏州市自然科学优秀学术论文一等奖
苏州市科学技术进步三等奖
全国优秀博士学位论文提名奖